消息称三星本月成功研制首批 1c nm DRAM 良品晶粒，未来将用于 HBM4 内存

电脑系统网 10 月 22 日新闻，韩国媒体 ZDNET Korea 据当地时间昨日报道，三星电子本月首次开发 1c nm（第 6 代 10nm 级）DRAM 内存 Good Die 公司内部对良品晶粒给予积极评价。

不过三星的 1c nm DRAM 量产开发还需要一段时间，第一批产品的良率不到10%。在产能方面，三星电子计划在今年年底前完成第一项工作 1c nm DRAM 内存生产线。

▲ 三星电子 HBM 内存

参考过去电脑系统网的报道，三星电子的下一代 HBM 内存 HBM4 预计将基于 1c nm DRAM，以期通过工艺优势追赶 HBM3E 量产供应更快 SK 海力士和美光两个对手夺回了 HBM 市场份额领域。

按照以往行业的惯例，每一代人 DRAM 工艺多首先应用于 DDR 一般内存，然后逐渐扩展到 LPDDR，最终再在对 DRAM 良率和性能要求严格 HBM 上使用。

不过考虑到 1c nm DRAM 直到今年年底，世代第一条生产线才会建成，全面量产最早也需要到 2025 上半年，据报道，三星电子 HBM4 将于 2025 年底量产意味着三星很可能在 1c nm 打破常规顺序，打破常规顺序 DRAM 良率和性能爬坡速度对工艺提出了更高的要求。

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