英特尔确认 ASML 第二台 High NA EUV 光刻机完成安装

电脑系统网 10 月 9 日消息，ASML 新任 CEO 傅恪礼（Christophe Fouquet）出席 SPIE 会议并发表演讲，重点介绍 High NA EUV 光刻机。

他提到，High NA EUV 不太可能像原来的光刻机那样 EUV 像光刻机一样延迟。傅恪礼还谈到了组装扫描仪器组件的新方法，即直接安装在客户工厂，无需拆卸和再组装过程。这将大大节省 ASML 有助于加快与客户的时间和成本 High NA EUV 发送和交付光刻机。

接着是英特尔院士兼光刻总监 Mark Phillips，他说英特尔已经在波特兰工厂完成了两个 High NA 光刻系统的安装，他还发布了一些信息，表明 High NA EUV 相对于标准 EUV 光刻机的改进可能比以前想象的要多。

▲ 首台 High NA EUV 图片，图源：英特尔

他说，因为他已经有经验了，第二套 High NA EUV 光刻系统的安装速度比第一个快。据说，High NA 所需基础设施已到位并开始运行。用于 High NA 光刻掩模检测已按计划进行。因此，英特尔可以投入生产，而无需做太多的辅助支持。

Mark 还被问及 CAR他说(化学放大耐腐蚀剂)和金属氧化物耐腐蚀剂。 CAR 金属氧化物光刻胶在未来的某个时候可能是足够的。英特尔的目标插入点是 Intel 14A 工艺(计算机系统网注:预计 2026~2027 年量产)，可能比预期的要快。

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