同比增长 105%，报告称 HBM 芯片明年月产能突破 54 万颗

电脑系统网 7 月 10 日信息，工商时报今日消息称，在 SK 海力士、三星、美光三巨头的大力推进下，2025 年带宽测试运行内存（HBM）处理芯片每月总产能为 54 千颗，相比 2024 年增长 27.6 千颗，同比增加 105%。

带宽测试运行内存是一种基于 3D 局部变量工艺高性能 DRAM，适用高存储芯片网络带宽市场需求的应用场合，与性能卓越图像处理器、互联网互换及分享机器设备（如无线路由器、交换机）、性能卓越数据中心 AI 独特运用集成电路芯片配合使用，能够大幅降低半导体器件功率总面积。

HBM 是 AI 加速卡成本费占比最高的零件，有业内人士拆卸英伟达显卡 H100 处理芯片，材料成本大约为 3000 美金（电脑系统网备注名称：现阶段约 21847 人民币），在其中 SK 海力士供给的 HBM 成本费就超过 2000 美金（现阶段约 14565 人民币），占有率 66%。

三大巨头现况

SK 海力士和美光目前仍是 HBM 的核心供应商，两家企业都是采用 1beta 纳米技术工艺，并且已经向英伟达显卡交货。

集邦咨询觉得选用 1Alpha nm 工艺的三星将在第二季度进行验证，并于今年年里逐渐供应。

三大巨头提产方案

三星已经逐步升级其在首尔的平泽工厂（P1L、P2L 和 P3L），便于用以 DDR5 和 HBM。

与此同时，华城工厂（13/15/17 号生产流水线）正在更新到 1α 工艺，仅保留 1y / 1z 工艺的一小部分产能，以适应航天工程等其它行业的需求。

SK 海力士南端韩利川市 M16 生产线生产制造 HBM，并着手将 M14 生产线升级成 1α／1β 制造，以供货 DDR5 和 HBM 商品。

除此之外，无锡厂现阶段正积极将制造由 1y／1z 升级成 1z／1α，分别用于生产制造 DDR4 及 DDR5 商品。

美光 HBM 前端在日本日本广岛厂生产，产能预计明年第四季提升到 2.5 千颗；长期性将引入 EUV 制造（1γ、1δ），并配置全新升级洁净室。

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