瑞萨电子宣布以 3.39 亿美元收购 Transphorm，拓展氮化镓 GaN 产品布局

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电脑系统网 1 月 14 日信息，瑞萨电子公布以每一股 5.10 美金、总金额 3.39 亿美金（电脑系统网备注名称：现阶段约 24.34 亿人民币）收购国外氮化镓（GaN）功率器件经销商 Transphorm,，对比 1 月 10 日的收盘价格股权溢价约 35%。

官方表示，本次收购将导致瑞萨得到 GaN 内部结构技术性，因此拓展其在电动汽车、测算（大数据中心、人工智能技术、基础设施建设）、可再生资源、特种电源及其快速充电器 / 电源适配器等持续增长销售市场的业务范围。

GaN 可以实现更高工作频率、较低的能量损耗和较小的尺寸，以此来实现更有效、更较轻结构及较低的整体成本费。依据行业分析，GaN 的需要预计每年将增长 50% 之上。

瑞萨表明，她们将采取 Transphorm 的汽车级 GaN 手段来推出新的加强型开关电源解决方案，比如用以新能源汽车的 X-in-1 汽车动力系统解决方案，以及面向测算、电力能源、工业生产消费运用的解决方案。

瑞萨电子还强调，随着近年来对高效率电力工程系统的需求不断增加，相关行业开始向以氮化硅（SiC）和 GaN 为代表宽禁带（WBG）原材料衔接。在这样的背景下，瑞萨公布建立了一条内部结构 SiC 生产流水线，并签订了历时 10 年 SiC 单晶硅片供货协议书。

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