三星研发最新内存技术 LLW DRAM，拥有超高带宽、低延迟、低功耗

电脑系统网 1 月 10 日信息，三星近日透露正积极研发一种新型运行内存，名叫 LLW DRAM，意指低延时宽 I / O (Low Latency Wide I / O) DRAM。据悉，这类运行内存将产生超带宽测试、低延时及超低功耗的完美结合。三星表明，LLW DRAM 尤其适用于必须在设备中运作大中型语言模型（LLM）的机器，但是其广泛性能优点也主要适用于手机客户端工作负载。

LLW DRAM 是一种低功耗运行内存，有着宽 I / O、低延时特性，并且拥有达到 128 GB/s 的网络带宽（据推测是每个模块或局部变量）。比较之下，一个 128 位 DDR5-8000 运行内存子系统能够提供相似的 128 GB/s 网络带宽。与此同时，LLW DRAM 的另一个重要特性则是 1.2pJ / bit 的超级低功耗，但三星并没有透露其 LLW DRAM 在符合该功能损耗时候的实际数据传输速率。

现阶段，三星并没透露过多有关 LLW DRAM 的小细节，但该公司此前一直致力于探索宽插口内存技术（比如 GDDR6W）。外部推断，LLW DRAM 很有可能参考了 GDDR6W 的专业技术，应用 Fan-Out 晶圆级封装 (FOWLP) 技术性将多个 DRAM 元器件整合到一个封装形式中，以扩展接口并兼顾容积、性能和低功耗。

充分考虑三星于 2022 年第二季度将 GDDR6W 规范化，并计划将其用于人工智能技术、高性能测算网络加速器和手机客户端 PC，LLW DRAM 很有可能定位为其他领域。充分考虑该标准的低功耗特性，能够将其应用于具备 AI 功能性的边缘计算设备、智能机、笔记本电脑电脑，乃至新能源领域。

电脑系统网留意到，三星非常少透露其新技术应用什么时候发售，但以其公布该技术的预估性能来说，其产品研发过程应当已经接近尾声。

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