佳能押注“纳米压印”技术：降低先进工艺生产成本，加速追赶 ASML

电脑系统网 12 月 27 佳能今年的日新闻 10 月宣布 FPA-1200NZ2C是纳米压印光雕刻（NIL）半导体设备。

佳能总裁御手洗富士夫最近表示，纳米压印光刻技术的出现为小型半导体制造商生产先进芯片开辟了新的途径。

佳能半导体设备业务经理岩本和德表示，纳米压印光刻是指在晶圆上印有半导体电路图案的掩模，在适当的位置形成复杂的印记 2D 或 3D 因此，只需要不断改进掩模，甚至生产电路图案 2nm 芯片。

据报道，佳能的纳米压印光刻技术至少可以生产 5 目前，纳米工艺尺寸的芯片是由 ASML 占主导地位的先进半导体制造设备市场，佳能的这项技术可以不断缩小和缩小 ASML 的差距。

岩本和德在设备成本方面表示，由于客户成本不同，单个压印工艺的估计成本最低可达到传统光刻设备工艺的一半。

今年计算机系统网 11 御手洗富士夫说：“月报道说：“NIL 产品价格比 ASML 的 EUV 少 1 位数”。

大日本印刷有限公司佳能与日本印刷综合企业（Dai Nippon Printing Co.）以及存储芯片制造商铠侠控股（Kioxia Holdings Corp.）纳米压印技术已合作研究近十年。

与极紫外光刻技术通过反射光工作不同，佳能研究的纳米压印技术是将电路图案直接印在晶圆上，从而制造出与最先进节点相当的几何形状的芯片，但速度要慢得多。

这种新设备有望减少芯片制造商对芯片OEM的依赖，并使台积电和三星电子等芯片OEM更有可能批量生产芯片。佳能说，这台机器只需要功率 EUV 十分之一的同类产品。

佳能一直专注于2014年制造普通芯片 年初大力投资纳米印记技术，收购了专注于纳米压印技术的分子压模公司 (Molecular Imprints Inc.)。佳能作为台积电的供应商之一，正在东京北部的宇都宫建设中 20 光刻设备的第一家新工厂将于今年开工 2025 年投产。

岩本和德在接受日经采访时表示，佳能目前收到了半导体制造商、大学和研究机构的大量询问，客户估计该技术可以用作 EUV 预计将生产包括闪存和个人计算机在内的替代品 DRAM 和逻辑 IC 等各种半导体。

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