消息称 ASML 明年推出用于 2nm 芯片制造的高 NA 光刻机，英特尔已采购 6 台

电脑系统网 12 月 19 日消息，SamMobile 消息称，ASML 将在未来几个月内推出 2nm 芯片制造设备的工艺节点，数值孔径（NA）光学性能从 0.33 提高到 0.55，三星计划 2025 生产始于年底 2nm 芯片。

据称，ASML 明年只有计划产能 10 英特尔已经预订了台湾 6 台，不过 ASML 计划在未来几年内将该设备的产能提高到每年 20 台。

目前，ASML 官网列出的 EUV 只有两台光刻机 ——NXE:3600D 和 NXE:3400C，均配备 0.33 NA 反射投影光学器件及 13.5nm EUV 光源，分别适用 3/5nm 和 5/7nm 芯片制造。

▲ NXE:3600D 

ASML 发言人曾透露，EXE:5200 是 ASML 下一代高 NA 该系统具有较高的光刻分辨率，可以缩小芯片 1.7 同时，密度增加到 2.9 倍。

▲ ASML 高 NA 系统路线图

前一份报告显示，ASML 第一台 0.55 NA EUV 光刻机计划 2025 年后量产，第一个将交付给英特尔。

英特尔发言人表示，该公司将成为 ASML 第一台 EXE:5200 的买家。与 EXE:5000 相比，EXE:5200 预计将带来一些改进，包括更高的生产率等。

根据 Gartner 分析师 Alan Priestley 的预测，0.55 NA EUV 光刻机单价将翻倍 3 1亿美元(计算机系统网注:目前约: 21.42 亿元人民币)。

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