SK 海力士宣布量产全球最高的 321 层 1Tb TLC 4D NAND 闪存，计划 2025 上半年对外出货

电脑系统网 11 月 21 日消息，SK 海力士刚刚宣布开始批量生产世界上最高的 321 层 1Tb(太比特，和 TB 不同的太字节)TLC（Triple Level Cell）4D NAND 闪存。

据介绍，此 321 与上一代相比，层产品的数据传输速度和读取性能分别提高 12% 和 数据读取能效也提高了13% 10% 以上。

SK 海力士说：“公司从 2023 年 6 目前上一代月量产最高 238 层 NAND 闪存产品，并在市场上供应，这次又率先推出了超过市场的产品 300 层的 NAND 闪存，突破了技术界限。计划从明年上半年开始为客户提供服务。 321 层产品，从而满足市场需求。”

据介绍，SK 海力士在产品开发过程中采用了高效的“3”-Plug工艺技术克服了堆叠的局限性。

根据计算机系统网络查询，该技术分为三个通孔过程，然后优化后续过程 3 一个通孔用于电气连接。在此过程中，开发了低变形材料，并引入了自动排列的通孔（Alignment）矫正技术。

此外，SK 海力士技术团队也将是上一代 238 层 NAND 闪存开发平台应用于闪存开发 321 层，从而最大限度地减少了工艺变化，与上一代相比，其生产效率提高了 59%。