面向高能效应用：铠侠、南亚联合研发新型极低漏电流 OCTRAM 内存

电脑系统网 10 月 24 据本月报道，日新闻 21 日本铠侠、南亚科技新闻稿、两家存储企业关于新型极低漏电流内存的联合研究论文将于今年发表 12 月 7~11 日本在美国加州旧金山举行 2024 IEEE IEDM 发表在国际电子设备大会上。

据活动介绍，铠侠和南亚科技将在当地时间进行 12 月 9 日介绍世界上第一款 4F2 GAA 半导体氧化物（Oxide-semiconductor）通道晶体管 DRAM——OCTRAM。

OCTRAM 应属于一种 GAA 结构的 4F2 VCT DRAM，它集成在高深宽比电容器顶部 IGZO(计算机系统网注:氧化镓锌，InGaZnO）垂直通道晶体管实现了极低的泄漏电流，降低了内存能耗。

铠侠和南亚科技合作制作了字线和位线间距 54nm 与 63nm 的 275Mbit 容量 OCTRAM 该原型在设计的电压范围内成功运行。

铠侠和南亚科技表示，这项创新技术有望通过改进制造过程来加强芯片集成架构的发展 AI、后 5G 在移动通信系统、物联网等领域，满足设备对节能和性能日益增长的需求。

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