SK 海力士宣布全球率先量产 12 层 HBM3E 芯片，实现 36GB 最大容量

电脑系统网 9 月 26 日消息，SK 海力士今天宣布，该公司率先开始全球大规模生产 12 层 HBM3E 现有的芯片已经实现 HBM 最大的产品 36GB 容量；公司将在年内向客户提供本产品。

受此消息影响，SK 海力士股价在韩国上涨超过 市值超过8% 120.34 万亿韩元(计算机系统网注:目前约: 6351.55 亿元人民币)。

据介绍，SK 海力士也堆叠起来 12 颗 3GB DRAM 与现有芯片一起实现 8 层产品厚度相同，容量增加 50%。为此，公司将是单一的 DRAM 芯片比以前薄了 采用硅通孔技术40%（TSV）垂直堆叠技术。

此外，SK 海力士还解决了堆叠更多薄芯片时产生的结构性问题。公司拥有先进的核心技术 MR-MUF 该工艺应用于本产品，散热性能较上一代有所提高 10%，控制翘曲问题得到加强，以确保稳定性和可靠性。

自 2013 全球首次推出第一代 HBM 至第五代 HBM (HBM3E)，公司是唯一一家开发并向市场供应整个系列的公司 HBM 产品企业。公司行业率先成功批量生产 12 层叠产品不仅满足了人工智能企业日益发展的需求，而且进一步巩固了 SK 面对面的海力士 AI 存储市场的领导地位。

SK 海力士说，12 层 HBM3E 在面向 AI 存储器所需的速度、容量、稳定性等方面都达到了世界最高水平。12 层 HBM3E 可达运行速度 9.6Gbps，在搭载四个 HBM 的 GPU 上运行‘Llama 3 70B大语言模型每秒都可以读取 35 次 700 总参数1亿的水平。

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