创意电子：3nm HBM3E 内存控制器与 PHY IP 获云服务提供商数据中心应用

电脑系统网 9 月 24 日新闻，创意电子 GUC 今日宣布其 3nm 工艺 HBM3E 内存控制器和物理层（PHY）IP 行业已经很重要了 CSP 云服务提供商和多家 HPC 解决方案供应商采用 ASIC 预计今年流片将得到支持 9.2Gbps HBM3E 内存。

计算机系统网注：创意电子很重要 ASIC 其最大股东(持股人)是设计服务制造商之一 35%)和唯一的晶圆制造商都是台积电。台积电也是创意电子在先进工艺和包装技术领域最重要的合作伙伴。

创意电子的 HBM3E IP 已通过台积电 N7 / N6、N5 / N4P、N3E / N3P 先进工艺技术的验证，以及所有主流 HBM3 制造商产品兼容，在台积电 CoWoS-S 及 CoWoS-R 流片验证是在先进的封装技术上进行的。

根据与美光的合作，创意电子相关 IP 搭配美光的 HBM3E 产品可在台积电 CoWoS-S 与 CoWoS-R 平台上实现 9.2Gbps 在不同的温度和电压下，传输速率可以达到优异的眼图边限：

创意电子首席运营官 Aditya Raina 表示：

我们很高兴看到我们 HBM3E 控制器和 PHY IP 整合到 CSP 和 HPC ASIC 中。

我们的 HBM3E 解决方案不仅经过流片验证，还经过多家先进技术和主流厂商的验证，被多家大厂商采用，也体现了解决方案的稳定性和优势。

我们期待着继续支持各种应用，包括人工智能、高效操作、网络和汽车。

除 HBM3E 此外，创意电子还积极与美光合作 HBM 内存供应商为下一代合作 AI ASIC 开发 HBM4 IP。

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