我国国产 DUV 光刻机迎来里程碑式进步,套刻≤8nm

2024-09-15 www.dnxtw.com

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电脑系统网 9 月 15 日消息,工业和信息化部分 9 月 9 第一台(套)重大技术装备推广应用指导目录日印发(2024) 年版)通知文件列表包括国产氟化氪光刻机(110nm)和氟化氩光刻机(65nm)。

中国第一套(套)重大技术设备是指实现重大技术突破、知识产权、尚未取得明显市场业绩的设备产品,包括整机设备、核心系统和关键部件。

这两行信息截图附在计算机系统网上如下:

晶圆直径照明波长分辨率套氟化氪(KrF)光刻机300mm248nmm≤110nm≤25nm氟化氩(ArF)光刻机300mm193nmm≤65nm≤8nm

氟化氪(KrF)和氟化氩(ArF)两种气体均服务于深紫外线(DUV)光刻机,准分子激光器产生深紫外线光。

目前,光刻机共经历了五代人的发展,从最早的开始 436 波长开始用于第二代光刻机 365nm i-line,第三代则是 248nm 的 KrF 激光。第四代是 193nm 波长的 DUV 这就是激光 ArF 准分子激光。

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ArF(氟化氩)准分子激光源光刻机,光源实际波长突破 缩短为193nm 134nm,NA 值为 最高可实现1.35 7nm 制程节点。

由于液体的折射率大于,浸入技术是指将镜头与硅片之间的空间浸泡在液体中 1.激光的实际波长会大大降低。

套刻精度常被称为“多次曝光能达到的最高精度” 1:3 这种光刻机可能可以大规模生产 28nm 工艺芯片。

28 纳米光刻机是芯片中低端和中高端的边界,意味着工业独立。中国的空调、洗衣机、汽车等工业产品可以突破西方国家设置的许多封锁,独立生产和销售。

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