三星电子宣布其首款 1Tb QLC 第九代 V-NAND 正式开始量产

电脑系统网 9 月 12 三星电子今天宣布，三星首款电子今天宣布 1 太比特四层单元（QLC）第九代 V-NAND 量产已经正式开始，而且 1Tb TLC 今年的产品 4 量产从月开始。

据介绍，三星 QLC 第九代 V-NAND 实现了多项技术突破，计算机系统网络总结如下：

通道孔蚀刻技术（Channel Hole Etching），目前行业内最高的单元层数可以基于双堆栈架构实现。三星用于 TCL 第九代 V-NAND 积累的技术经验优化了存储单元面积和外围电路，位密度比上一代高 QLC V-NAND 提升约 86%。

预设模具（Designed Mold）该技术可以调整控制存储单元的字线（WL）间距，保证同一单元层和单元层之间存储单元的特性一致（V-NAND 层数越多，存储单元的特性就越重要。；与之前的版本相比，预设模具技术提高了数据保存性能 20%，提高可靠性。

预测程序（Predictive Program）该技术可以预测和控制存储单元的状态变化，尽可能减少不必要的操作，使三星 QLC 第九代 V-NAND 写入性能翻倍，I/O 速度提升 60%。

低功耗设计（Low-Power Design）技术分别降低了数据读取功耗约 30% 和 50%。该技术降低了驱动力 NAND 存储单元所需的电压只能感知必要的位线（BL），尽量减少功耗。

此外，三星还表示将扩大 QLC 第九代 V-NAND 应用范围从品牌消费品扩展到移动通用闪存（UFS）、个人电脑和服务器 SSD，为客户提供服务，包括云服务提供商。

相关阅读：

三星启动了第一批第九代 V-NAND 闪存量产》

《普及 100TB SSD，三星明年将推出第一个消息 10 代 NAND：最高的三重堆叠技术 430 层》

广告声明：文本中包含的外部跳转链接（包括不限于超链接、二维码、密码等形式）用于传递更多信息，节省选择时间。结果仅供参考。计算机系统网络上的所有文章都包含了本声明。