TechInsights：3D、4F2 等新结构 DRAM 内存有望于 0C 节点量产

电脑系统网 7 月 26 日信息，据韩国媒体 The Elec 报导，来自于剖析组织 TechInsights 的 Choi Jeong-dong 博士表示，选用 3D、4F2、VCT（竖直安全通道晶体三极管）等新型构造的 DRAM 内存有望于 0C nm 节点完成量产。

0C nm 即第 3 代 10nm 以下属节点。现阶段三大 DRAM 原装最先进的工艺是 1b (1β) nm，即第 6 代 20~10 纳米节点。

Choi 觉得，再下代 1c nm 后，DRAM 内存领域也将亲身经历 1d nm 节点才能将为名制程缩小至 10nm 下列。

四到五年前有一部分业内人士表示，采用新构造的 DRAM 内存在 1d~0a nm 世世代代就可问世。

但现在来看 3D DRAM、4F2 DRAM 等新技术仍不够成熟，即便状况成功，量产至少得直到 0b nm。以 3D DRAM 为例子，目前仍在检测 8、12 层层叠的内存试品，离 60、90 层层叠目标也有很远的路规定。

▲ 三星电子先前展现的 3D DRAM 路线地图

Choi 表明，直至 1b nm 制程，可以减少泄露电流的 HKMG （电脑系统网注：高介电常数（原材料）/金属材料栅压）加工工艺还仅仅在 GDDR、DDR5、LPDDR 的一些产品中运用；

而到了 1c nm 节点，HKMG 加工工艺要被三星电子和 SK sk海力士广泛用于所有类型的商品。

对于目前 DRAM 商品，1b nm 将在三季度逐渐从 1a nm 手上拿到销售量最大制程的名号；

但在 1b nm DRAM 中，三星电子的尺寸最低、SK sk海力士的稍大、美光科技的主要，但差别并不显著。

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