消息指三星电子 2nm 工艺 EUV 曝光层数增加 30% 以上，未来 SF1.4 节点有望超 30 层

电脑系统网 7 月 23 日消息，韩媒 The Elec 本月 17 据日报报道，三星电子预计将于明年推出 2nm 先进工艺将比现有工艺更加现有 3nm 工艺增加 30% 以上的 EUV 曝光层数达到20~30 中后半段”。

韩国媒体在报道中提到，根据不同的产品性质，即使同一节点的曝光层数量也不是完全固定的。但总的来说，三星电子 3nm 工艺的平均 EUV 曝光层的数量仅为 20 层；

而在预计于 2027 年量产的 SF1.4 制程中，EUV 曝光层的数量有望超过曝光层 30 层。

▲ ASML 新一代 0.33NA EUV 光刻机 NXE:3800E

随着先进工艺的发展，对晶体管尺寸的要求越来越严格。用于曝光层 EUV 光刻代替传统 DUV，可实现更高的光刻精度，进一步提高晶体管密度，在单位面积内容纳更多的集成电路。

在此背景下，先进的逻辑OEM企业积极购买 ASML 的 EUV 机台。

以台积电为例，根据计算机系统网之前的报道，它将在今年和明年收到超级电源 60 台 EUV 光刻机。韩国媒体估计台积电到达 2025 将在年底拥有超级 160 台 EUV 光刻机。

此外 DRAM 内存行业的 EUV 光刻用量也在增加：

在第六代 20~10nm 级工艺（即 1c nm、1γ nm）使用三星电子 6~7 个 EUV 层，SK 使用海力士 5 个 EUV 层，美光也在这个节点首次引入 EUV 光刻。

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