消息称三星电子以自家 4nm 先进工艺打造 HBM4 内存逻辑芯片

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电脑系统网 7 月 16 日信息，《韩国经济新闻》(hankyung) 昨日消息称，三星电子已决定再下代 HBM 内存 —— HBM4 中使用自己家 4nm 加工工艺打造出逻辑芯片。

电脑系统网注：这里逻辑芯片指 Logic Die，SK sk海力士称基本晶圆片 Base Die，美光称插口芯片 Interface Die。构造参照美光下面的图：

一层层层叠的 DRAM Die 内存芯片为 HBM 内存给予容积；而 Logic Die 乃是 DRAM 局部变量的控制模块，还负责根据互联层和Cpu里的内存插口通讯，都是 HBM 内存不可或缺的一部分。

传统上，存储厂商一般自主选用存放芯片制造工艺生产制造 HBM 内存的 Logic Die，步骤更加简单。但赶到 HBM4 世世代代后，Logic Die 必须支持更多信号管脚、更多的数据信息网络带宽，甚至要承重一部分客户定制作用。

因而存储厂商继而选取与逻辑芯片加工协作，用逻辑芯片制造工艺生产制造 HBM4 用 Logic Die。

先前就有消息传出，tsmc将采取 7nm 加工工艺为 SK sk海力士代工生产 HBM4 的前提晶圆片。

▲ 三星电子现阶段最前沿的 HBM3E 12H 内存

三星电子存放单位此次选用自己家 4nm 加工工艺打造出逻辑芯片，一方面可以提高 HBM4 内存综合性能耗等级，提高市场竞争力；另一方面，更加细致的 4nm 加工工艺同时也为各种各样订制功能性的导进留出了更多空间。

值得一提的是，这一举动也可为兄弟单位 LSI 单位提供一份经营规模很大的订单信息。

针对三星电子存放单位而言，在商品中导进 LSI 单位的先进工艺并不是没有例子：其面对 OEM 端消费级固态盘 PM9C1a 也配备了 LSI 单位代工的 5nm 主控芯片。

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