3D 堆叠晶体管是未来：韩国半导体厂商周星工程研发 ALD 新技术，降低 EUV 工艺步骤需求

电脑系统网 7 月 16 日信息，韩国媒体 The Elec 报导，韩国半导体企业周星工程项目（Jusung Engineering）全新研制出原子层沉积（ALD）技术性，还可以在生产制造工艺技术芯片中减少极紫外光刻（EUV）加工工艺流程需求。

电脑系统网注：极紫外光刻（EUV）又称作超紫外光胶版印刷术，是一种应用极紫外光波长光刻工艺，现阶段用于 7 纳米技术以内的先进制程，于 2020 年得到了广泛的应用。

周星工程项目老总 Chul Joo Hwang 表明现阶段 DRAM 和逻辑芯片的扩展已经达到极限值，所以需要像 NAND 一样，根据堆叠晶体管的形式摆脱这种情况。

半导体业假如想要将晶体管微型到更超小型，一种方案就是堆叠晶体管，其中一个证明是深紫外线（DUV）机器设备有希望用于生产制造 3D DRAM。

Hwang 说，伴随着堆叠显得尤为重要，ALD 设备的需求都将提升。III-V 和 IGZO 半导体器件生产制造也要 ALD 机器设备。

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