信越推出新型半导体后端制造设备，可无需中介层实现 HBM 内存 2.5D 集成

电脑系统网 7 月 11 日报道，日本国信越化学 6 月 12 日公布研发出新型半导体后面制造设备，可直接在封装基板上搭建合乎 2.5D 先进封装集成市场需求的电源电路图案设计。

▲ 蚀刻图案设计

这就意味着可以从 HBM 运行内存集成制造过程中彻底省去昂贵中介公司层（Interposer），在大大的降低成本的同时还缩短先进封装步骤。

▲ 2.5D 集成构造比照

信越表明，该新式后面设备选用准分子激光器蚀刻走线，不用光刻技术就可大批量产生大面积复杂电路图案设计，达到传统式制造路经无法企及的精准度。

融合信越化学开发设计月亮的光掩膜坯等特殊摄像镜头，新式激光后端制造设备可一次性生产加工 100mm 厚为或更多的地区。

依据《日经新闻》报导，信越化学总体目标 2028 年批量生产这一款设备，确保实现 200~300 万美元（电脑系统网备注名称：现阶段约 9.02 ~ 13.53 亿人民币）有关年销量。

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