消息称三星 HBM 内存芯片通过英伟达测试，将开始大规模生产

电脑系统网 7 月 4 日信息，韩国媒体 NewDaily 消息称，三星电子器件已通过英伟达的 HBM3e（带宽测试运行内存）品质测试。三星马上开始大规模生产 HBM 内存芯片，并针对供应问题与英伟达进行商谈。

▲ 三星电子器件 HBM3e 12 层商品

三星电子器件近期收到来自英伟达的 HBM3e 品质测试 PRA（商品提前准备准许）通告。这也是三星应英伟达规定，外派承担 HBM 运行内存开发设计高管赴美一个多月后取得的成效。

据电脑系统网报道，在今年的 3 月，英伟达 CEO 黄仁勋表明现在开始认证三星的 HBM 内存芯片。5 月据媒体报道三星 HBM 内存芯片因发热和功能损耗难题不通过英伟达测试。黄仁勋在 2024 台北市国际性电脑展会上，表明依然在验证三星企业的 HBM 运行内存，否定三星 HBM 不通过一切英伟达测试。

外媒称，三星急需解决向英伟达供货 HBM，根据英伟达测试代表着从下半年开始，HBM 的盈利可能实现“飞越”。受其消息影响，三星电子器件股票价格 7 月 4 日增涨 3.6%，做到 4 月 12 日至今的最高点；SK sk海力士（英伟达 HBM 内存的关键供应商之一）股票下跌 4.7%，创 6 月 24 日至今最大跌幅。

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