三星第 9 代 V-NAND 金属布线量产工艺被曝首次使用钼技术

电脑系统网 7 月 3 日信息，依据韩国媒体 The Elec 报导，三星则在第 9 代 V-NAND 的“金属布线”（metal wiring）中首次尝试应用钼（Mo）。

电脑系统网注：半导体材料生产过程中八大工艺分别是：晶圆制造、空气氧化、光刻技术、离子注入、沉积、金属布线、评估和封装形式。

在其中金属布线工艺主要是使用各种方式联接数十亿个电子元件，形成不同的半导体材料（CPU、GPU 等），算得上是“为半导体材料赋予了性命”。

消息人士称三星公司已经从 Lam Research 公司引进了五台 Mo 沉积机，另外还计划来年再引入 20 台机器。

除三星电子器件外，SK sk海力士、美光科技和 Kioxia 等企业也在考虑应用钼。和目前 NAND 工艺中所使用的六氟化钨（WF6）不一样，钼前驱体（molybdenum precursor）是固体，必须要在 600℃ 的高温下才可以提升立即转化成汽态，而这个过程需要独立的沉积机器设备。

三星在今年的 5 月报导，早已开启了第一批第九代 V-NAND 闪存芯片批量生产，位密度比第八代 V-NAND 提升了约 50%。

第九代 V-NAND 配置了下一代 NAND 闪存芯片插口“Toggle 5.1”，可以将数据传送 / 导出速率提升 33%，最高达每秒钟 3.2 千兆网卡位（Gbps）。除了这些新插口，三星还计划通过扩大对 PCIe 5.0 的大力支持来巩固它在性能卓越固态盘的地位。

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