美光加速 EUV 技术攻坚，1γ DRAM 工艺目标 2025 年量产

电脑系统网 6 月 27 与其他半导体领头羊不同的是，美光并不急于这样做 DRAM 引入 EUV 所以公司目前所有的量产芯片都采用了光刻技术 DUV 光刻机制造。

然而，美光最终无法避免使用 EUV 技术，从今年开始 1γ 试生产过程计划于明年进入大规模生产 (HVM) 阶段。

美光科技首席执行官 Sanjay Mehrotra 在刚刚举行的电话会议上，他说：“极紫外光刻技术的使用 1γ DRAM 试产进展顺利，我们正按计划计划 2025 年实现量产。"

目前，美光正在日本广岛工厂开发和采用 EUV 的 1γ DRAM 这也是第一批制造工艺 1γ 内存试产地。

Mehrotra 今年 3 月还说：“我们正在不断提高极紫外光刻技术的生产能力 1α 和 1β 实现了节点 EUV 和非 EUV 工艺流程的等效效率和质量。我们已经开始使用它 EUV 进行 1γ DRAM 并计划进行试产 2025 年实现量产。"

除了采用 EUV 技术的 1γ 和 1δ 除了生产工艺，美光还计划在未来几年探索 3D DRAM 架构及用途 DRAM 生产的高值孔径 EUV 技术。

当地时间 6 月 26 美光公布了第三季(电脑系统网注:截至今年 5 月 30 日)业绩报告。因为数据显示 AI 该领域持续快速发展，对存储解决方案的需求不断上升，使得美光数据中心的收入“如虎添翼” 68.1 1亿美元(目前约 496.13 1亿元人民币)同比大幅增长 81.6%优于分析师之前预期的 66.7 1亿美元(目前约 485.93 亿元人民币)。

展望今年 8 在月底的第四个财政季节，美光预计收入范围为 74 亿-78 1亿美元(目前约 539.11 亿- 568.25 1亿元)，区间中点基本符合分析师的预期 75.8 1亿美元(目前约 552.22 一亿元人民币)。

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