消息称三星电子 HBM 内存开发部门双轨化，新团队专责 HBM4 开发

电脑系统网 5 月 10 日信息，据韩国媒体 The Elec 报导，三星电子器件内部结构已并对 HBM 内存开发机构进行“双轨制化”更新改造，以提升其在 HBM 业务上的竞争能力。

具体来说，由目前 DRAM 设计方案团队承担 HBM3E 内存后续研究与开发，而三月设立的 HBM 生产能力品质提高团队则专注于开发下一代 HBM 内存 ——HBM4。

新设立的 HBM 专业开发团队由三星电子器件 DRAM 开发高级副总裁 Hwang Sang-joon 承担，向存储芯片市场部首席总裁李禎培汇报，与此同时三星最近已经将一部分人力资源转移到该团队。

做为 AI 算率芯片出色协助，HBM 内存早就成为业界最前沿网络热点。而下一代 HBM4 内存将于多个维度引进明显变化，在带来更大的发展空间的前提下产品研发难度系数也会跟着提高：

一方面，HBM4 内存在层叠上把普及化 12 层，先发 16 层，也带来了更大的单晶硅片涨缩风险性；

另一方面，HBM4 内存的前提晶圆片（Base Die）将走向个性化，商品实际特点要追随客户需求调节。

除此之外，依据电脑系统网近日报导，SK sk海力士已把它 HBM4 内存的 12 层层叠版本批量生产时长移位至 2025 年年底，三星电子器件现阶段仍维持 2026 年预设目标。

三星此次建立 HBM4 单独团队，旨在解决内存开发难点，减少开发周期时间，进而在 HBM4 连接点重树 HBM 内存竞争能力，从 SK sk海力士手上抢回渠道优势。

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